长江存储申请三维存储器及其制备方法专利，提升三维存储器的良品率_元器件

长江存储申请三维存储器及其制备方法专利，提升三维存储器的良品率

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2026-02-28 17:16:39

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器及其制备方法”的专利，公开号CN121586261A，申请日期为2021年11月。

专利摘要显示，本公开提供了一种三维存储器及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提升三维存储器的良品率。所述制备方法包括：制备半导体结构；去除第二介质层中覆盖栅线缝隙的侧壁的部分；在栅线缝隙内形成填充结构；去除衬底；在叠层结构的去除衬底的一侧形成源极层。其中，半导体结构包括：衬底，及设置于衬底上的叠层结构。叠层结构包括交替设置的第一介质层和栅极层。半导体结构还包括栅线缝隙和第二介质层，栅线缝隙沿垂直于衬底的方向贯穿叠层结构并延伸至衬底内，第二介质层位于第一介质层和栅极层之间，并且覆盖栅线缝隙的侧壁。本公开用于制备三维存储器。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1445次，财产线索方面有商标信息975条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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