内蒙古清橙半导体申请液相法生长碳化硅工艺参数优化方法专利，显著缩短研发周期以及降低成本_元器件

内蒙古清橙半导体申请液相法生长碳化硅工艺参数优化方法专利，显著缩短研发周期以及降低成本

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2026-02-28 17:16:59

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国家知识产权局信息显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司申请一项名为“一种液相法生长碳化硅的工艺参数优化方法及系统”的专利，公开号CN121583422A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种用于液相法生长碳化硅单晶的工艺参数优化方法及系统，所述方法包括：构建宏观有限元模型，依据多组工艺参数耦合得到籽晶前沿边界层的宏观物理场数据；构建微观动力学模型，以多组宏观物理场数据作为面上边界条件运行微观仿真，得到多组界面形貌结果；提取每组界面形貌结果的缺陷量化指标；构建工艺参数组与缺陷量化指标的映射模型，并求解使得缺陷量化指标达到预设目标的最优工艺参数组。本发明构建的宏观与微观联动的完整仿真闭环，相比试错法，显著缩短研发周期以及降低成本，且优化后的工艺提升了碳化硅晶体的纯度、完整性，改善了电学性能，为液相法制备碳化硅提供科学高效的工艺指导。

天眼查资料显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司，成立于2024年，位于呼和浩特市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，内蒙古清橙半导体科技有限公司专利信息6条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法数据参数半导体形貌微观周期碳化硅工艺专利参数组液相法宏观

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