南亚科技申请半导体结构制造方法专利，在导电层的顶面处形成氮化物部分
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2026-06-20 01:23:06
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN122249035A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制造方法，其包括以下步骤。于衬底上形成导电层。于所述导电层上形成保护层，其中所述保护层包括多个第一孔隙，且所述第一孔隙暴露出部分的所述导电层。通过所述第一孔隙对所述导电层的暴露部分进行氮化处理，以在所述导电层的顶面处形成氮化物部分。于所述保护层上形成介电层，其中所述介电层包括多个第二孔隙。对所述介电层进行清洗处理。
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