江苏第三代半导体研究院申请低应力氮化物外延片专利，提高外延片的发光效率和发光亮度_半导体

江苏第三代半导体研究院申请低应力氮化物外延片专利，提高外延片的发光效率和发光亮度

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2026-06-20 01:23:13

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国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种低应力氮化物外延片、其制备方法与光电器件”的专利，公开号CN122248864A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种低应力氮化物外延片、其制备方法与光电器件，低应力氮化物外延片包括依次层叠设置的衬底、n型氮化物层、n型氮化物势垒层、复合发光层以及p型氮化物结构；n型氮化物势垒层远离衬底的表面间隔分布成核聚集区；复合发光层包括间隔分布的复合纳米隔断结构，以及设置于复合纳米隔断结构之间的发光结构。本发明通过复合纳米隔断结构的设置实现了对发光结构的隔断，使发光结构能够利用量子尺寸限制效应降低QCSE，从而降低应力分布，提高电子和空穴的辐射复合效率，从而提高外延片的发光效率和发光亮度，降低发光波长的半峰宽，提高显示应用的色纯度。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息419条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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