英拓芯申请MEMS传感器振幅测量电路与方法专利，具有精度高的优点_微电子

英拓芯申请MEMS传感器振幅测量电路与方法专利，具有精度高的优点

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2026-06-20 12:47:44

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国家知识产权局信息显示，四川英拓芯传感技术有限公司申请一项名为“一种MEMS传感器振幅测量电路与方法”的专利，公开号CN122237667A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请提供了一种MEMS传感器振幅测量电路与方法，涉及MEMS测试技术领域。首先获取激励电极与质量块之间的间隙、激励电极长度、激励电极高度及激励电极数量，并根据获取的参数确定位移与电容变化量的转换系数；再依次完成正负端耦合电压自补偿；之后接入传感器驱动电路，待敏感芯片起振且幅值稳定后，调节差分放大器的增益，直至差分放大器输出的电压幅值达到预设的电路上限值，并确定电容变化量与输出电压幅值之间的对应关系；最后根据差分放大器输出的电压幅值、位移与电容变化量的转换系数、以及电容变化量与输出电压幅值之间的对应关系，得到MEMS传感器的振幅。本申请提供的方案具有测试条件宽松、便于集成设计及精度高的优点。

天眼查资料显示，四川英拓芯传感技术有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本333.3333万人民币。通过天眼查大数据分析，四川英拓芯传感技术有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息1条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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