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股票行情快报：西部超导（688122）3月26日主力资金净买入6109.94万元
证券之星消息，截至2026年3月26日收盘，西部超导(688122)报收于71.85元，上涨0.32%，换手率1.68%，成交量10.94万手，成交额7.83亿...
博威合金：目前尚不生产半导体靶材，靶材背板材料已有销售但销量不大
有投资者在互动平台向博威合金提问：“上面评论回复到JX 金属公司的半导体靶材，之前在展会上看你们有展示靶材背板，请问两者是一个东西吗？靶材背板你们市场做的怎么样...
原创 商汤自研车规AI芯片拿下120万套订单？假消息！
3月26日消息，近日，有媒体报道称，“商汤科技自研的STPU 3.0车规级AI芯片正式实现规模化量产，凭借顶尖能效比与高性价比优势，成功打入长城、比亚迪等主流车...
中国发布芯片研发突破成果 “香山”“如意”全球开源合作共赢
中新网北京3月26日电 (记者 孙自法)中国科学院3月26日发布中国科研团队在芯片产业攻关方面取得的系列重大突破成果，其中，“香山”开源高性能RISC-V(第五...
C视涯（688781）新增【芯片】概念
证券之星消息，根据市场公开信息整理，3月26日C视涯（688781）新增【芯片】概念。 新增概念原因：公司是全球领先的微显示整体解决方案提供商，是全球首家基于1...
世运电路：泰国生产基地已于2026年一季度按计划试投产，全球化布局迈出关键一步
每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：公司有什么潜在利空消息未公布，才造成在整个PCB板块不断上涨的时候，公司股价却持续下跌的？ 世运电路（603920....
股票行情快报：深南电路（002916）3月26日主力资金净卖出2.28亿元
证券之星消息，截至2026年3月26日收盘，深南电路(002916)报收于232.3元，下跌2.39%，换手率0.97%，成交量6.46万手，成交额15.21亿...
股票行情快报：莱特光电（688150）3月26日主力资金净买入2599.80万元
证券之星消息，截至2026年3月26日收盘，莱特光电(688150)报收于38.79元，下跌2.42%，换手率2.52%，成交量10.13万手，成交额3.97亿...
上杭龙鑫达电子有限公司成立，注册资本500万人民币
天眼查显示，近日，上杭龙鑫达电子有限公司成立，法定代表人为谢宾，注册资本500万人民币，由深圳市富鑫达电子有限公司全资持股。 序号股东名称持股比例1深圳市富鑫达...
小米申请电子设备专利，提高卫星通话性能
国家知识产权局信息显示，北京小米移动软件有限公司申请一项名为“电子设备”的专利，公开号CN121726733A，申请日期为2024年9月。 专利摘要显示，本公开...
元旭电子申请三电极精密电阻专利，可分别测量不同电极间的阻值
国家知识产权局信息显示，安徽元旭电子科技发展有限公司申请一项名为“一种三电极精密电阻、制造方法、测试组件及测试方法”的专利，公开号CN121726173A，申请...
SD8233LG 单按键触摸开关IC
SD8233LG是一款单按键触摸及接近感应开关，其用途是替代传统的机械型开关。该 IC 采用 CMOS工艺制造，结构简单，性能稳定。该 IC 通过引脚可配置成多...
中金泰富申请双非极性高分子离子传输通道层改性高嵌锂电位负极专利，解决固态电解质界面不稳定问题
国家知识产权局信息显示，武汉中金泰富新能源科技有限公司申请一项名为“双非极性高分子离子传输通道层改性高嵌锂电位负极、钛酸锂复合固态电解质及动力电池”的专利，公开...
武汉喻芯半导体申请eMMC存储器温度自适应调节方法及系统专利，根据温度变化率执行对应的参数调节策略
国家知识产权局信息显示，武汉喻芯半导体有限公司申请一项名为“一种eMMC存储器的温度自适应调节方法及系统”的专利，公开号CN121722318A，申请日期为20...
南亚科技申请先进半导体存储器导体及接点制造方法和半导体结构专利，抑制STI的弯曲、变形或倾斜
国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“先进半导体存储器的导体及接点的制造方法和半导体结构”的专利，公开号CN121728770A，申请日期为...
半导体E：3月25日融资买入683.67万元，融资融券余额5748.05万元
证券之星消息，3月25日，半导体E（159558）融资买入683.67万元，融资偿还1204.62万元，融资净卖出520.96万元，融资余额5748.05万元，...
高塔半导体重组日本业务，拟扩产12英寸晶圆厂
近日，Tower（高塔半导体）宣布将对日本业务进行重组。根据计划，Tower将通过其在日本设立的全资子公司持有300毫米（12英寸）7号晶圆厂，而日本新唐科技则...
铠侠申请半导体装置的制造方法专利，提高半导体装置的可靠性
国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121729108A，申请日期为2025年3月。 专利摘要显示，实...
原创 高通2nm芯片双版本实锤！性能直接突破天花板，价格再创新高
数码圈传来重磅消息！高通下一代旗舰芯片骁龙8至尊版，迎来最新爆料，将推出双版本型号，均采用台积电2nm工艺制程，性能直接突破天花板，同时成本大幅上涨，注定明年安...
北京乔思仲阳科技申请用于柔直系统的真空开关及闭合方法专利，解决传统真空开关在关合柔直系统特大短路电流时因巨大电动斥力导致的体积庞大、动作速度不足及关合可靠性低的问题
国家知识产权局信息显示，北京乔思仲阳科技有限公司申请一项名为“用于柔直系统的真空开关及闭合方法”的专利，公开号CN121726266A，申请日期为2026年2月...