南亚科技申请先进半导体存储器导体及接点制造方法和半导体结构专利，抑制STI的弯曲、变形或倾斜_元器件

南亚科技申请先进半导体存储器导体及接点制造方法和半导体结构专利，抑制STI的弯曲、变形或倾斜

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2026-03-26 16:34:10

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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“先进半导体存储器的导体及接点的制造方法和半导体结构”的专利，公开号CN121728770A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种先进半导体存储器的导体及接点的制造方法和半导体结构，在所述方法的工艺期间，在一基底上方提供一图案层，所述图案层包括第一方向上的次浅沟槽隔离图案和垂直于第一方向的第二方向上的次支撑梁图案，接着进行浅沟槽隔离STI刻蚀，所述浅沟槽隔离刻蚀在所述第二方向上进行各向异性STI刻蚀，同时在所述第一方向上进行STI倾斜刻蚀，由此提供在所述第二方向上具有支撑梁悬挂在次支撑梁图案下方并且邻接次浅沟槽隔离图案下方基底的浅沟槽。在整个STI工艺过程中，所述支撑梁机械性地支撑所述浅沟槽，以抑制STI的弯曲、变形或倾斜。

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来源：市场资讯

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