傲威半导体取得MOS器件栅极过压保护结构专利，适用于高温环境_芯片

傲威半导体取得MOS器件栅极过压保护结构专利，适用于高温环境

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2026-07-05 11:53:56

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国家知识产权局信息显示，傲威半导体无锡有限公司取得一项名为“一种MOS器件栅极过压保护结构”的专利，授权公告号CN224368297U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种MOS器件栅极过压保护结构，涉及MOS器件栅极过压保护领域，包括：保护壳和硅晶体，硅晶体上侧设有绝缘层，绝缘层的上侧设有漏极、源极和栅极，所述保护壳安装在硅晶体的外侧，且保护壳的上侧连接有一对平行设置的外支板，外支板的内侧固定有安装罩，所述安装罩的内部开设有散热孔，且安装罩的内部设有内置板，同时在散热孔内部设有防尘网和风扇，内置板的内部安装有半导体制冷片，所述栅极的上侧设有导热硅脂，且导热硅脂的上侧设有散热鳍片，并且散热鳍片位于安装罩的内侧。本实用新型具有不仅具有过电压保护电路实现过电压保护，同时具有通过散热结构辅助过电压保护，适用于高温环境。

天眼查资料显示，傲威半导体无锡有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本300万人民币。通过天眼查大数据分析，傲威半导体无锡有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息3条，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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