广州增芯申请HV MOS管及其制备方法专利，提高Vt的稳定性
创始人
2026-07-05 10:57:03
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国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“HV MOS管及其制备方法”的专利，公开号CN122340846A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，一种HV MOS管及其制备方法，制备方法包括：提供基底；在基底内形成阱区，所述阱区包括MOS管区；在所述MOS管区的阱区内形成第一轻掺杂区；在所述MOS管区的阱区的表面形成耐压栅氧层，所述第一轻掺杂区位于所述耐压栅氧层的两侧的MOS管区内；根据所述耐压栅氧层的层厚，对所述MOS管区进行调整离子注入，在所述耐压栅氧层底部的阱区表层形成与所述第一轻掺杂区导电类型相同的调整掺杂区，所述调整掺杂区的掺杂浓度小于所述第一轻掺杂区的掺杂浓度。本发明能够在不影响载流子迁移速度的基础上，提高Vt的稳定性。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息294条，此外企业还拥有行政许可182个。
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来源：市场资讯
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