南亚科技申请制造半导体结构的方法专利，提高了半导体结构的抗应力能力
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2026-05-06 13:14:24
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“制造半导体结构的方法”的专利，公开号CN121985799A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种制造半导体结构的方法，此方法包括以下操作。接收具有阵列区域和周边区域的基板，其中阵列区域的厚度大于周边区域的厚度。在基板的阵列区域中形成沟槽。在基板的阵列区域上和沟槽中形成第一介电层。在第一介电层上和沟槽中形成第一导电层。在第一导电层和基板的周边区域上形成第二介电层。蚀刻第二介电层的一部分以暴露第一导电层。在第二介电层上形成与第一导电层接触的第二导电层。本发明提高了半导体结构的抗应力能力。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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