格力电子申请半导体结构专利，解决MOS结构在太空高能粒子引发器件单粒子烧毁问题_电子电器

格力电子申请半导体结构专利，解决MOS结构在太空高能粒子引发器件单粒子烧毁问题

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2026-04-01 21:51:26

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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“半导体结构和半导体器件”的专利，公开号CN121772281A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：叠置的衬底和外延层；第一掺杂区，位于外延层中；第二掺杂区，位于第一掺杂区中，第二掺杂区的背离衬底的表面与第一掺杂区的背离衬底的表面齐平；第三掺杂区，位于第一掺杂区中，第三掺杂区背离衬底的表面与第二掺杂区靠近衬底的表面齐平、两者接触面为第二掺杂区靠近衬底的部分，第三掺杂区的靠近衬底的表面与第一掺杂区的靠近衬底的表面齐平；第四掺杂区，位于外延层中，第四掺杂区背离衬底的表面与第一掺杂区靠近衬底的表面齐平、两者接触面为第一掺杂区靠近衬底的部分。本申请解决了现有技术中MOS结构在太空中的高能粒子可能引发器件单粒子烧毁导致器件的可靠性较差的问题。

天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息268条，此外企业还拥有行政许可108个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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