思瑞浦申请半导体器件专利，提高器件拐角处的应穿电压_电子电器

思瑞浦申请半导体器件专利，提高器件拐角处的应穿电压

创始人

2026-04-01 21:51:46

0次

国家知识产权局信息显示，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN121772303A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体主体，所述半导体主体上形成有第一沟槽及第二沟槽；第一导电结构及第二导电结构；其中，所述第一导电结构的顶部为暴露于所述半导体主体之外的第一区域，所述第二导电结构的顶部为暴露于所述半导体主体之外的第二区域，所述第一区域由多个第一直线区域和多个第一拐角区域围设而成，所述第二区域由多个第二直线区域和多个第二拐角区域围设而成，所述第二拐角区域的外侧边与所述第一拐角区域之间的距离自中间向两侧逐渐增大。本发明通过优化半导体器件的版图，能够增大器件表面的有效利用面积，提高器件拐角处的应力和击穿电压，并且能够兼容现有的半导体沟槽工艺，避免工艺中光刻胶脱落造成器件失效的风险。

天眼查资料显示，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本13780.1498万人民币。通过天眼查大数据分析，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息331条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业导电投资沟槽器件半导体拐角专利区域苏州拐角处

上一篇：格力电子申请半导体结构专利，解决MOS结构在太空高能粒子引发器件单粒子烧毁问题

下一篇：信利申请低温多晶硅晶体管制作方法专利，面内各个晶体管的阈值电压Vth均一性更好

思瑞浦申请半导体器件专利，提高器件拐角处的应穿电压

相关内容

热门资讯