上海创贤半导体申请功率半导体晶圆氧化膜祛除方法专利,从根本上杜绝焊接杂质
创始人
2026-04-01 21:51:05
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国家知识产权局信息显示,上海创贤半导体有限公司申请一项名为“一种功率半导体晶圆氧化膜祛除方法”的专利,公开号CN121772765A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本发明公开了一种功率半导体晶圆氧化膜祛除方法,具体涉及芯片焊接前处理技术领域,包括气体制备与精确调控,提供由氢气和惰性气体组成的还原性混合气体,并通过压力‑流量控制装置,将气体输出压力稳定控制在0.3‑0.5Mpa,输出流量稳定控制在1.5‑2.5L/Min。本发明通过外部还原性气体与氧化膜反应,其唯一的气态产物水蒸气可被气流轻松带走,从而在源头上彻底消除了杂质残留的可能性,从根本上杜绝焊接杂质,实现焊接质量的跃升,能够在足以有效还原氧化膜的温度下安全地进行操作,既保证了处理效果,又确保了功率半导体晶圆对热预算的严苛要求,避免了晶圆性能受损,避免了还原剂可能带来的负面影响,进一步提高了焊接层的质量和长期可靠性。

天眼查资料显示,上海创贤半导体有限公司,成立于2021年,位于上海市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1037.5万人民币。通过天眼查大数据分析,上海创贤半导体有限公司共对外投资了1家企业,专利信息23条。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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