上海创贤半导体申请功率半导体晶圆氧化膜祛除方法专利，从根本上杜绝焊接杂质
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2026-04-01 21:51:05
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国家知识产权局信息显示，上海创贤半导体有限公司申请一项名为“一种功率半导体晶圆氧化膜祛除方法”的专利，公开号CN121772765A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种功率半导体晶圆氧化膜祛除方法，具体涉及芯片焊接前处理技术领域，包括气体制备与精确调控，提供由氢气和惰性气体组成的还原性混合气体，并通过压力‑流量控制装置，将气体输出压力稳定控制在0.3‑0.5Mpa，输出流量稳定控制在1.5‑2.5L/Min。本发明通过外部还原性气体与氧化膜反应，其唯一的气态产物水蒸气可被气流轻松带走，从而在源头上彻底消除了杂质残留的可能性，从根本上杜绝焊接杂质，实现焊接质量的跃升，能够在足以有效还原氧化膜的温度下安全地进行操作，既保证了处理效果，又确保了功率半导体晶圆对热预算的严苛要求，避免了晶圆性能受损，避免了还原剂可能带来的负面影响，进一步提高了焊接层的质量和长期可靠性。
天眼查资料显示，上海创贤半导体有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1037.5万人民币。通过天眼查大数据分析，上海创贤半导体有限公司共对外投资了1家企业，专利信息23条。
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来源：市场资讯
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