北京芯力技术创新中心申请CIS传感器用堆叠键合晶圆及CIS传感器专利，更加显著地减轻金属离子对于后续键合的感光晶圆的污染
国家知识产权局信息显示，北京芯力技术创新中心有限公司申请一项名为“CIS传感器用堆叠键合晶圆及CIS传感器”的专利，公开号CN 121001428 A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本发明提供一种CIS传感器用堆叠键合晶圆及CIS传感器。CIS传感器用堆叠键合晶圆具有与感光晶圆堆叠键合的逻辑晶圆，在所述逻辑晶圆的背面具有包括介电层和硅的多层层叠结构膜，所述多层层叠结构膜是硅基底层+第一SiO2+SiN/SiCN+第二SiO2+Si，其中，第一SiO2的厚度为1000A-30000A，SiN/SiCN的厚度为500A-3000A，第二SiO2的厚度为1000A-30000A，Si的厚度为500A-30000A。利用本发明，能够更加显著地减轻金属离子对于后续键合的感光晶圆的污染，保证了CIS传感器的图像处理质量及操控性能。
天眼查资料显示，北京芯力技术创新中心有限公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本63100万人民币。通过天眼查大数据分析，北京芯力技术创新中心有限公司参与招投标项目463次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可59个。
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来源：市场资讯
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