泉州三安半导体申请一种发光二极管及发光装置专利，避免出现虚焊_电子电器

泉州三安半导体申请一种发光二极管及发光装置专利，避免出现虚焊

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2025-11-25 11:07:19

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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN 121001470 A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管的半导体外延叠层由隔离槽分隔为第一台面和第二台面，隔离槽处所暴露的第二半导体层形成为电极台面，发光二极管的第二焊盘电极形成在电极台面处，并且自电极台面延伸至少覆盖第二台面的上表面，进一步地，第二焊盘电极自电极台面延伸至第二台面的上表面以及与隔离槽相对的外侧壁、第一台面靠近隔离槽的上表面的边缘区域。由于第二台面和第一台面处于相同高度，由此使得第二焊盘电极至少部分与第一台面上方的第一焊盘电极处于相同高度，在后续焊接时，第二焊盘电极更容易与焊料接触，焊料更容易填充至隔离槽处与该处的第二焊盘电极接触，因此能够避免出现虚焊，提高发光二极管的可靠性。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息614条，此外企业还拥有行政许可368个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示电极投资隔离台面泉州装置导体专利焊盘隔离槽二极管

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