华虹宏力申请SONOS存储器阵列结构专利，能提高擦写速度_电子电器

华虹宏力申请SONOS存储器阵列结构专利，能提高擦写速度

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2025-11-24 18:08:19

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“SONOS存储器阵列结构”的专利，公开号CN 120998270 A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种SONOS存储器阵列结构，包括：阵列排列的多个结构相同的存储单元，每个存储单元由选择管和两个置于选择管两侧的第一存储管和第二存储管构成，两个存储管分别存储数据；每行存储单元的选择管的栅极接对应字线；每行存储单元的第一存储管的栅极接对应第一存储管字线；每行存储单元的第二存储管的栅极接对应第二存储管字线；相邻存储单元列之间的一根位线分别交替连接其两侧同一行相邻两个存储单元的不同存储管。本发明提供的这种SONOS存储器阵列结构基于热载流子注入能提高擦写速度，且有利于缩减阵列面积。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目927次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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