德州仪器申请在STI上方具有场板间隔件的半导体装置专利，提高半导体装置性能
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2026-05-31 03:59:10
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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“在STI上方具有场板间隔件的半导体装置”的专利，公开号CN122121220A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本公开涉及在STI上方具有场板间隔件的半导体装置。描述了半导体装置及其制造方法。举例来说，一种半导体装置[102]包含：源极区[124]和漏极区[116]，其具有第一导电类型，安置在具有相反的第二导电类型的半导体层[112]中；浅沟槽隔离结构[118]，其在所述半导体层[112]中安置在所述源极区[124]与所述漏极区[116]之间；栅极介电层[130]，其安置在所述半导体层[112]上方并且在所述源极区[124]与所述浅沟槽隔离结构[118]之间延伸；栅电极[132]，其安置在所述栅极介电层[130]上方并且朝向所述漏极区[116]以及在所述浅沟槽隔离结构[118]上方延伸；以及场板间隔件[128]，其在所述栅电极[132]与所述浅沟槽隔离结构[118]之间。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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