长鑫科技获得发明专利授权:“一种半导体结构及其制备方法”
创始人
2026-07-26 01:17:41
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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示长鑫科技(688825)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体结构及其制备方法”,专利申请号为CN202610049381.5,授权日为2026年7月24日。

专利摘要:本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法,其中,半导体结构包括:衬底;沟道层,沟道层包括在衬底上堆叠的多个沟道子层;栅极层,栅极层至少部分环绕每一沟道子层;源/漏区,沿第一方向上,源/漏区位于沟道层的两侧,源/漏区至少包括第一子层和第二子层,第一子层包围第二子层的外侧壁,第一子层包含第一预设元素;其中,第一方向平行于衬底的平面,且沿远离沟道层的方向上,第一预设元素的含量逐渐降低。

今年以来长鑫科技新获得专利授权10个。结合公司2025年年报财务数据,2025年公司在研发方面投入了95.93亿元,同比增108.22%。

通过天眼查大数据分析,长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业,参与招投标项目1087次;财产线索方面有商标信息407条,专利信息706条,著作权信息23条;此外企业还拥有行政许可39个。

数据来源:天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,不构成投资建议。

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