元器件

柏诚系统科技取得一种洁净室用超薄型薄膜照明开关控制器专利,能够显示开关状态

国家知识产权局信息显示,柏诚系统科技股份有限公司取得一项名为“一种洁净室用超薄型薄膜照明开关控制器”的专利,授权公告号CN223613506U,申请日期为202...

中科银河芯取得一种电荷泵升压电路专利

国家知识产权局信息显示,北京中科银河芯科技有限公司取得一项名为“一种电荷泵升压电路”的专利,授权公告号CN 119628408 B,申请日期为2024年11月。...

股票行情快报:龙腾光电(688055)12月3日主力资金净买入185.63万元

证券之星消息,截至2025年12月3日收盘,龙腾光电(688055)报收于3.93元,下跌0.25%,换手率0.28%,成交量9.2万手,成交额3580.03万...

华志取得一种便携电子天平专利,方便携带

国家知识产权局信息显示,华志(福建)电子科技有限公司取得一项名为“一种便携电子天平”的专利,授权公告号CN223610944U,申请日期为2024年12月。专利...

[封云凯律师]高电位相关行为是否构成诈骗?从案例看法律界定

在当今社会,各类新兴产品和营销模式层出不穷,其中高电位产品备受关注。一些商家宣称高电位产品具有神奇功效,能治疗多种疾病,吸引了不少消费者购买。然而,这些宣传是否...

金风科创取得无功电压控制方法及装置专利

国家知识产权局信息显示,北京金风科创风电设备有限公司取得一项名为“无功电压控制方法及装置”的专利,授权公告号CN 114614462 B,申请日期为2020年1...

德州仪器申请用于双极结晶体管的半导体加工集成专利

国家知识产权局信息显示,德州仪器公司申请一项名为“用于双极结晶体管(BJT)的半导体加工集成”的专利,公开号CN121057282A,申请日期为2025年5月。...

中山迈雷特数控取得带故障自锁功能的IGBT过流保护电路专利

国家知识产权局信息显示,中山迈雷特数控技术有限公司取得一项名为“一种带故障自锁功能的IGBT过流保护电路”的专利,授权公告号CN 115296269 B,申请日...

碳化硅与硅基mos的优缺点是什么

碳化硅MOSFET vs 硅基MOSFET:全维度对比解析 一、核心材料特性差异 碳化硅(SiC)MOSFET与传统硅(Si)MOSFET的根本区别源于半导体...

电位滴定仪能检测哪些样品

电位滴定仪主要用于测定样品中可通过化学反应引起电位变化的物质。它广泛应用于各种分析领域,能检测以下类型的样品: 酸碱滴定:测定酸或碱的浓度,如测定硫酸、盐酸、氢...

京东方申请一种像素驱动电路及显示装置专利,提高驱动电流的准确性

国家知识产权局信息显示,京东方科技集团股份有限公司、北京京东方技术开发有限公司申请一项名为“一种像素驱动电路及显示装置”的专利,公开号CN121053893A,...

和诚电器取得一种整流稳压器结构专利,有效降低了材料成本和加工费用

国家知识产权局信息显示,重庆和诚电器有限公司取得一项名为“一种整流稳压器结构”的专利,授权公告号CN223613655U,申请日期为2024年12月。 专利摘要...

国网上海电力取得三相统包高温超导电缆磁场老化特征计算方法专利

国家知识产权局信息显示,国网上海市电力公司取得一项名为“一种三相统包高温超导电缆磁场老化特征的计算方法”的专利,授权公告号CN 120930515 B,申请日期...

华为取得芯片封装结构、其制备方法及电子设备专利

国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司取得一项名为“一种芯片封装结构、其制备方法及电子设备”的专利,授权公告号CN 113972180 B,申请日期为2021...

洛阳国函铁路器材公司取得一种三相电同步电动开关专利

国家知识产权局信息显示,洛阳国函铁路器材有限公司取得一项名为“一种三相电同步电动开关”的专利,授权公告号CN 120824156 B,申请日期为2025年9月。...

美的申请Z源逆变器电路、线路板、控制器及空调器专利,减少电路元件数量节约空间且降低成本

国家知识产权局信息显示,广东美的制冷设备有限公司、美的集团股份有限公司申请一项名为“Z源逆变器电路、线路板、控制器及空调器”的专利,公开号CN121055791...

京东方申请显示模组及其驱动方法、显示装置专利,降低驱动芯片与存储器之间信号传输中断风险

国家知识产权局信息显示,京东方科技集团股份有限公司、成都京东方光电科技有限公司申请一项名为“显示模组及其驱动方法、显示装置”的专利,公开号CN121053909...

铭镓半导体(成都)有限公司成立 注册资本3000万人民币

天眼查App显示,近日,铭镓半导体(成都)有限公司成立,法定代表人为陈政委,注册资本3000万人民币,经营范围为一般项目:电子专用材料制造;电子专用材料研发;半...

富乐华半导体取得覆铜陶瓷基板翘曲改善方法专利

国家知识产权局信息显示,江苏富乐华半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种覆铜陶瓷基板的翘曲改善方法”的专利,授权公告号CN 120453167 B,申请日期为...

英飞凌申请具有内部过流保护和电隔离电流感测的电子功率开关专利,实现内部过流保护

国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有内部过流保护和电隔离电流感测的电子功率开关”的专利,公开号CN121055940A,申请日期为2...

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芯诺半导体申请单晶硅棒缺陷检测... 国家知识产权局信息显示,江苏芯诺半导体科技有限公司申请一项名为“一种单晶硅棒的缺陷检测方法”的专利,...