元器件
德芯数字申请射频电源频率调谐动态跟踪方法及系统专利，显著缩短调谐时间
国家知识产权局信息显示，成都德芯数字科技股份有限公司申请一项名为“一种射频电源频率调谐动态跟踪方法及系统”的专利，公开号CN121643700A，申请日期为20...
阳光电源（300274）3月11日主力资金净买入16.82亿元
证券之星消息，截至2026年3月11日收盘，阳光电源(300274)报收于170.92元，上涨9.49%，换手率9.09%，成交量144.57万手，成交额243...
光伏设备板块盘初拉升，正泰电源涨停
光伏设备板块盘初拉升， 首航新能盘中创新高， 正泰电源涨停， 中来股份、 艾罗能源、 国晟科技、 华民股份、 德业股份跟涨。
电位滴定仪型号对比与选型指南：恒美智造HM-D系列全解析
发布单位：山东恒美电子科技有限公司 品牌：恒美智造 整理时间：2026年3月12日 引言：电位滴定仪选型的专业指南 电位滴定仪作为实验室精密分析的核心设备，其选...
傲鼎控股申请矿用隔爆型高低压电缆连接器的导电杆连接结构专利，能够承载更大的电流
国家知识产权局信息显示，温州市傲鼎控股有限公司申请一项名为“矿用隔爆型高低压电缆连接器的导电杆连接结构”的专利，公开号CN121642654A，申请日期为202...
三亚：建“南繁硅谷” 强“种业芯片”
北纬18度的海南三亚，常年日照充足、温度适宜、雨水充沛，独特的地理气候优势让这里成了农作物生长的“天然大温室”。自20世纪50年代起，每年9月至翌年5月，都有大...
理想汽车申请一种调试方法及相关装置专利，确保了目标设备对电子控制单元调试过程中与电子控制单元进行交互时的安全性
国家知识产权局信息显示，上海理想汽车科技有限公司申请一项名为“一种调试方法及相关装置”的专利，公开号CN121637522A，申请日期为2024年9月。 专利摘...
台亚半导体申请发光二极管及其制造方法专利，与反射镜层间形成欧姆接触
国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制造方法”的专利，公开号CN121646060A，申请日期为2024年11月。 专利摘...
莱特光电涨5.07%，股价创历史新高
莱特光电股价创出历史新高，截至9:34，该股上涨5.07%，股价报37.70元，成交量142.61万股，成交金额5215.34万元，换手率0.35%，该股最新A...
快可电子（301278）3月11日主力资金净买入357.81万元
证券之星消息，截至2026年3月11日收盘，快可电子(301278)报收于49.72元，上涨5.79%，换手率19.17%，成交量9.85万手，成交额4.81亿...
荣耀申请一种用于睡眠检测的数据处理方法专利，降低电子设备的耗能
国家知识产权局信息显示，荣耀终端股份有限公司申请一项名为“数据处理方法、电子设备、存储介质及芯片”的专利，公开号CN121644731A，申请日期为2024年8...
铜峰电子（600237）3月11日主力资金净买入1290.89万元
证券之星消息，截至2026年3月11日收盘，铜峰电子(600237)报收于10.87元，上涨2.74%，换手率10.74%，成交量67.08万手，成交额7.08...
荣耀申请一种充电方法及电子设备专利，提高充电的灵活性
国家知识产权局信息显示，荣耀终端股份有限公司申请一项名为“一种充电方法及电子设备”的专利，公开号CN121646853A，申请日期为2024年2月。 专利摘要显...
华为申请一种存储阵列、存储器及电子设备专利，提升存储容量
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种存储阵列、存储器及电子设备”的专利，公开号CN121645837A，申请日期为2024年8月。 专利摘...
2026年IC芯片回收行业白皮书与服务商指南
前言 据《2025年中国电子废弃物回收行业发展白皮书》数据显示，我国电子制造产业年产出的各类滞压电子料规模超1200亿元，其中IC芯片占比达35%以上，成为闲置...
AMD推出新款Ryzen AI嵌入式处理器
AIPress.com.cn报道 3月11日消息，AMD 宣布扩展其 Ryzen AI Embedded P100 Series 处理器产品线，以满足工厂自动化...
珈伟新能：公司主要为IDC数据存储中心提供储备电源
证券之星消息，珈伟新能(300317)03月10日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问：公司董事会好！我们注意到行业内“电力 算力”的融合已成为...
股票行情快报：西部超导（688122）3月11日主力资金净卖出7593.06万元
证券之星消息，截至2026年3月11日收盘，西部超导(688122)报收于83.56元，下跌0.88%，换手率1.96%，成交量12.76万手，成交额10.77...
南亚科技申请半导体结构及其形成方法专利，可以防止字元线的损坏破坏半导体结构的性能
国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121645847A，申请日期为2024年10月。 专利摘要...