华润上华申请半导体结构及其制备方法、电容结构专利，有利于提升电容结构的电容值
创始人
2026-05-06 11:27:48
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国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、电容结构”的专利，公开号CN121968599A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、电容结构。半导体结构包括：基底；阻挡层，设于所述基底的一侧；以及柱阵列，设于所述阻挡层远离所述基底的一侧；所述柱阵列包括间隔排布的多个柱体；其中，所述柱体包括沿远离所述基底方向排布的第一子柱体和第二子柱体，所述第一子柱体在所述基底上的正投影的外轮廓位于所述第二子柱体在所述基底上的正投影的外轮廓内；所述第一子柱体的侧壁为凹凸结构。本申请有利于提升电容结构的电容值。
天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目6091次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1507条，此外企业还拥有行政许可123个。
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来源：市场资讯
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