台亚半导体申请半导体结构及其制造方法专利，光电构件及控制电路因应图案化多晶硅层彼此空间隔离
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2026-04-08 14:47:26
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国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121815862A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一体硅(Bulk Silicon)衬底、一氧化层、一图案化多晶硅层及一图案化外延层。氧化层设置于体硅衬底上方，图案化多晶硅层设置于氧化层上方，图案化外延层设置于图案化多晶硅层上方。其中，图案化外延层具有一光电构件及一控制电路，光电构件及控制电路因应图案化多晶硅层彼此空间隔离。
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来源：市场资讯
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