普冉半导体申请叠层电容专利，耐压显著提高_元器件

普冉半导体申请叠层电容专利，耐压显著提高

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2026-04-07 19:17:18

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国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司申请一项名为“叠层电容、其制备方法、高压产生电路及半导体存储器件”的专利，公开号CN121815670A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，叠层电容、其制备方法、高压产生电路及半导体存储器件，现有SONOS等工艺中高压电容直接利用薄隧穿氧作为底部介质，耐压不足且需大面积串并联电容堆叠，本发明通过在叠层电容区域中保留原本用于刻蚀辅助的牺牲氧化层，使牺牲氧化层与其上的下氧化层共同构成底部氧化层，并在其上依次形成氮化硅层及上氧化层，四层介质构成叠层电容的介质结构，并在介质结构上下形成导电电极，从而得到耐压显著提高的叠层电容。该叠层电容可用于高压产生电路，为采用电荷俘获栅结构的存储单元阵列提供编程和擦除内部高压，在不增加额外高压工艺模块的前提下，兼顾高压可靠性、版图面积及降低制造成本。

天眼查资料显示，普冉半导体（上海）股份有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本14804.9102万人民币。通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息209条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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