上海集成电路制造创新中心申请半导体结构成膜反应装置及其控制方法专利，用于在半导体结构的高深宽比的深孔内壁沉积薄膜_元器件

上海集成电路制造创新中心申请半导体结构成膜反应装置及其控制方法专利，用于在半导体结构的高深宽比的深孔内壁沉积薄膜

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2026-03-22 03:21:27

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路制造创新中心有限公司申请一项名为“半导体结构的成膜反应装置及其控制方法”的专利，公开号CN121700363A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体结构的成膜反应装置及其控制方法，该成膜反应装置包括：反应腔、加热器、电极、空心绝缘柱、喷淋器和等离子体发生电源；空心绝缘柱连接于加热器的内部；电极连接于空心绝缘柱的内部；喷淋器用于向第一表面喷淋前驱体气体和反应气体；加热器用于加热基板，以加热第一表面上的前驱体气体和反应气体；电极电连接等离子体发生电源；等离子体发生电源用于向电极供电，以使第一表面上的反应气体电离形成等离子体，并为等离子体持续补充能量，以使等离子体接触半导体结构的最深处。本发明用于在半导体结构的高深宽比的深孔内壁沉积薄膜。

天眼查资料显示，上海集成电路制造创新中心有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路制造创新中心有限公司参与招投标项目166次，专利信息242条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造成膜创新中心气体薄膜等离子体导体反应结构专利半导体绝缘柱

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