华虹半导体申请图像传感器像素制造方法及图像传感器专利，提高了满阱容量性能_元器件

华虹半导体申请图像传感器像素制造方法及图像传感器专利，提高了满阱容量性能

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2026-07-03 20:45:36

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“图像传感器像素的制造方法及图像传感器”的专利，公开号CN122340926A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器像素的制造方法及图像传感器。该图像传感器包括：衬底；网格状隔离区，位于所述衬底中，所述网格状隔离区由第一掺杂隔离区和第二掺杂隔离区拼接形成，且所述第一掺杂隔离区和所述第二掺杂隔离区无交叠区域；像素区域，被所述网格状隔离区包围形成，所述像素区域内设有电子收集区。本发明通过无交叠区域的设计，避免了交叠区两次离子注入对电子收集区有效宽度的压缩，增大了电子收集区的体积，提高了满阱容量性能。同时，光刻胶层相互连接形成连续结构，避免了高深宽比工艺下光刻胶倒塌的问题。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2949次，专利信息2063条，此外企业还拥有行政许可119个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目374次，专利信息224条，此外企业还拥有行政许可233个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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