至信微电子取得双沟槽型MOS场效应晶体管制备方法专利
创始人
2026-07-03 20:46:52
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国家知识产权局信息显示，深圳市至信微电子有限公司取得一项名为“一种双沟槽型MOS场效应晶体管的制备方法和应用”的专利，授权公告号CN116053140B，申请日期为2023年1月。
天眼查资料显示，深圳市至信微电子有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1591.3234万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市至信微电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可10个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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