兆驰半导体申请AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法专利，提高器件的可靠性
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2026-07-03 20:45:10
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国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法”的专利，公开号CN122340976A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及发光二极管技术领域，公开了一种AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法。AlGaInP发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一衬底；S2、在衬底上依次沉积缓冲层、N型限制层、N型导波层、有源层、P型导波层、P型限制层和P型窗口层；S3、在P型窗口层上沉积欧姆接触层；S4、对欧姆接触层进行干法刻蚀以保留目标位置处的纳米材料，形成多个纳米柱，多个纳米柱之间形成凹槽；S5、在凹槽的内表面制备复合修复层；复合修复层包括依次层叠的原位钝化层、AlGaAs过渡层和AlAs层。实施本发明，可以改进晶体质量，修复刻蚀缺陷，提高辐射复合提高内量子效率，提高器件的可靠性。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1686条，此外企业还拥有行政许可62个。
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来源：市场资讯
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