晶合集成申请半导体测试结构及其测试方法专利，可有效监控栅极结构的边缘缺陷_元器件

晶合集成申请半导体测试结构及其测试方法专利，可有效监控栅极结构的边缘缺陷

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2026-02-26 21:11:49

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体测试结构及其测试方法”的专利，公开号CN121568560A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体测试结构及其制备方法，属于半导体技术领域，其待测单元组包括至少一个待测单元，待测单元包括有源区、栅极结构及源漏外延层，栅极结构位于有源区的沟道区上，源漏外延层位于有源区的源区和漏区内；所有有源区沿第一方向的宽度相等，每个待测单元组中的所有沟道区的面积之和相等，从第1个至第n个待测单元组，有源区、沟道区和栅极结构沿第二方向的宽度逐渐增大，且每个源区和漏区沿第二方向的宽度均相等。本申请可有效监控栅极结构的边缘缺陷，从而避免器件的高温寿命试验出现问题，缩短开发时长。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1653条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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