国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“超导集成电路及其制造方法”的专利,公开号CN122270046A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本公开涉及超导集成电路及其制造方法。制造超导集成电路的方法包括:形成第一超导层;在第一超导层上形成层堆叠,层堆叠包括约瑟夫森结JJ层堆叠、布置在JJ层堆叠上的金属层和布置在金属层上的第四超导层,JJ层堆叠包括:电耦合到第一超导层的第二超导层、布置在第二超导层上的第三超导层和布置在第二超导层与第三超导层之间的电绝缘势垒层;结构化第四超导层,包括执行第一蚀刻工艺,金属层用作蚀刻停止层且金属层的第一部分暴露;结构化层堆叠以形成JJ结构;在JJ结构上形成电介质层;结构化电介质层,包括执行第二蚀刻工艺,金属层用作蚀刻停止层且金属层的第二部分暴露;在结构化的电介质层上形成第五超导层,第五超导层电耦合到第三超导层。
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来源:市场资讯