通富微电申请堆叠芯片封装方法及封装结构专利，降低晶圆成本
创始人
2026-02-17 19:22:34
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国家知识产权局信息显示，南通通富微电子有限公司申请一项名为“一种堆叠芯片封装方法及封装结构”的专利，公开号CN121531991A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种堆叠芯片封装方法及封装结构，该方法包括：提供完成电路测试后的硅片，硅片的功能面设置有多个硅通孔，硅通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片功能面形成凹槽并将芯片背面固定于凹槽；在硅片功能面以及芯片正面形成与硅通孔电连接的第一布线层；对硅片非功能面进行减薄以露出硅通孔；在减薄后的硅片非功能面形成与硅通孔电连接的第二布线层；切割硅片形成多个独立的芯片模组并将多个芯片模组依次堆叠键合连接；形成包裹芯片模组的塑封层。采用设置有硅通孔的硅片实现上下层芯片模组的垂直互联，制造工艺简单；由于设置有硅通孔的硅片在完成电路测试后才与DRAM晶圆集成，硅通孔的良率问题不会造成芯片的损耗，降低晶圆成本。
天眼查资料显示，南通通富微电子有限公司，成立于2014年，位于南通市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本193100万人民币。通过天眼查大数据分析，南通通富微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目68次，专利信息110条，此外企业还拥有行政许可24个。
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来源：市场资讯
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