南昌硅基半导体科技申请LED芯片及其制备方法专利，有助于降低制造成本
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2026-02-16 23:38:52
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国家知识产权局信息显示，南昌大学、南昌实验室、南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121531865A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过在基板上依次设置的键合层、绝缘层、保护层、复合层以及外延层，复合层由图形互补的阻挡层和反射层组成，外延层包括朝远离基板方向依次设置的p型GaN层、多量子阱发光层以及n型GaN层，外延层表面和部分阻挡层上设置钝化层；其中，绝缘层朝n型GaN层方向延伸，形成嵌设于外延层中的容纳空间，容纳空间中设置n电极，n电极两端分别与n型GaN层和键合层接触；外延层的侧面设置有由钝化层、阻挡层和保护层形成的凹槽，凹槽中设置有p电极焊盘，实现了保护层与n电极同时制备，减少了制备工序，另外，由于阻挡层的设置，保护层与n电极无需使用耐磷酸腐蚀的贵金属材料，有助于降低制造成本。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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