鸿芯志取得芯片封装散热层防剥离结构专利，提高半导体封装良品率_元器件

鸿芯志取得芯片封装散热层防剥离结构专利，提高半导体封装良品率

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2026-01-13 21:14:19

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国家知识产权局信息显示，池州鸿芯志半导体有限公司取得一项名为“一种芯片封装散热层防剥离结构”的专利，授权公告号CN223798688U，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本实用新型揭示了一种芯片封装散热层防剥离结构，包括晶圆、半槽以及散热层；所述晶圆上设置有多个芯片单元；所述半槽设置在所述晶圆上，且所述半槽用于切割分离所述晶圆上的相邻的所述芯片单元；所述散热层设置在所述晶圆表面，且所述散热层在所述半槽隔离下处于非平面。本实用新型通过在晶圆表面设置半槽，能够将晶圆表面整个平面的散热层进行分割，在进行单个芯片单元的切割时，不会造成散热层的剥离，从而大大提高了半导体封装的良品率。

天眼查资料显示，池州鸿芯志半导体有限公司，成立于2022年，位于池州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，池州鸿芯志半导体有限公司共对外投资了4家企业，专利信息8条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资池州单元半导体散热芯片结构专利良品率散热层晶圆

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