重庆芯联微电子申请半导体结构及其制备方法专利，避免多次刻蚀工艺对低压区域造成损伤_元器件

重庆芯联微电子申请半导体结构及其制备方法专利，避免多次刻蚀工艺对低压区域造成损伤

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2026-01-10 12:09:53

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国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121310616A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，S1：提供一具有高压区、中压区以及低压区的半导体衬底，在衬底上形成第一栅氧化层，覆盖衬底表面；S2：通过干法刻蚀去除中压区表面的部分第一栅氧化层，再通过湿法刻蚀去除中压区表面剩余第一栅氧化层；S3：在第一栅氧化层以及衬底表面形成第二栅氧化层；S4：通过干法刻蚀去除低压区表面的部分栅氧化层，再通过湿法刻蚀去除低压区表面剩余的栅氧化层；S5：在第二栅氧化层以及衬底表面形成第三栅氧化层。对低压区的栅氧化层进行一次刻蚀，制备不同厚度的栅氧化层，避免多次刻蚀工艺对低压区域造成损伤，同时采用干法刻蚀与湿法刻蚀结合的方式，保持刻蚀的精度的同时能够改善表面质量，减少损伤。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息217条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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