芯粤能申请半导体结构及其制备方法专利，可以降低单位面积导通电阻_元器件

芯粤能申请半导体结构及其制备方法专利，可以降低单位面积导通电阻

创始人

2026-01-01 17:36:25

0次

国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121240496A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构中，当中央镂空区的远离衬底的一侧设置有第二栅极部时，在第二栅极部的下侧半导体结构的沟道增加，可以降低单位面积导通电阻；当中央镂空区的远离衬底的一侧设置有肖特基接触层时，可以降低半导体结构的导通压降，从而降低双极退化效应。当部分中央镂空区的远离衬底的一侧设置有第二栅极部，另一部分中央镂空区的远离衬底的一侧设置肖特基接触层时，半导体结构既可以降低单位面积导通电阻，又可以降低半导体结构的导通压降，降低双极退化效应，提高半导体结构的性能。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息81条，此外企业还拥有行政许可99个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法栅极单位投资降低镂空导体结构专利面积半导体芯粤肖特基衬底极部

上一篇：广东巨风半导体申请一种IGBT模块的绝缘测试设备以及方法专利，测试简单快速，能够实现大批量测试

下一篇：中航隆盛申请厚铜PCB通孔回流焊接插针固定装置专利，解决插针定位不稳等问题

芯粤能申请半导体结构及其制备方法专利，可以降低单位面积导通电阻

相关内容

热门资讯