国家知识产权局信息显示,广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利,公开号CN121240496A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明涉及一种半导体结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,该半导体结构中,当中央镂空区的远离衬底的一侧设置有第二栅极部时,在第二栅极部的下侧半导体结构的沟道增加,可以降低单位面积导通电阻;当中央镂空区的远离衬底的一侧设置有肖特基接触层时,可以降低半导体结构的导通压降,从而降低双极退化效应。当部分中央镂空区的远离衬底的一侧设置有第二栅极部,另一部分中央镂空区的远离衬底的一侧设置肖特基接触层时,半导体结构既可以降低单位面积导通电阻,又可以降低半导体结构的导通压降,降低双极退化效应,提高半导体结构的性能。
天眼查资料显示,广东芯粤能半导体有限公司,成立于2021年,位于广州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析,广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目49次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息81条,此外企业还拥有行政许可99个。
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来源:市场资讯