意法半导体申请具有改进的半导体阱的去耦的集成电子器件专利，提供一种集成电子器件
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2026-03-31 13:14:32
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“具有改进的半导体阱的去耦的集成电子器件及其相关制造工艺”的专利，公开号CN121751739A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开涉及具有改进的半导体阱的去耦的集成电子器件及其相关制造工艺。提供了一种集成电子器件。示例集成电子器件包括：第一导电性类型的上部半导体区域；第二导电性类型的第一半导体阱和第二半导体阱，该第一半导体阱和第二半导体阱在上部半导体区域中延伸；第一电子部件，形成在第一半导体阱中，具有耦合到第一半导体阱的端子；以及第二电子部件，形成在第二半导体阱中，具有耦合到第二半导体阱的端子。插置在第一半导体阱和第二半导体阱之间的去耦结构包括：第二导电性类型的第三半导体阱，面向第二半导体阱；偏置端子，耦合到第三半导体阱，被设置为电源电压；以及屏障结构，面向第一半导体阱，具有第一导电性类型的分离半导体区域和横向界定分离半导体区域的介电结构。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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