深圳市章阁仪器有限公司申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高堆叠结构构成的存储器的存储性能
创始人
2026-02-26 18:14:57
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国家知识产权局信息显示，深圳市章阁仪器有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121568388A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：进行多次堆叠处理；堆叠处理包括：形成沿纵向交替层叠的第一层叠材料层和第二层叠材料层构成的子叠层结构；形成贯穿子叠层结构的子通孔；在相邻堆叠处理之间，填充子通孔形成第一牺牲层；去除第一牺牲层，形成由多个子通孔连通的通孔；其中，通过控制每个子叠层结构中的第二层叠材料层的厚度不同；或，在填充子通孔形成第一牺牲层步骤之前，通过在子通孔暴露出的子叠层结构的侧壁上形成侧壁保护层，使形成的通孔露出的每层第二层叠材料层的表面积之间的差值比大于或等于0且小于或等于5%。本公开有利于提高堆叠结构构成的存储器的存储性能。
天眼查资料显示，深圳市章阁仪器有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市章阁仪器有限公司参与招投标项目27次，专利信息19条，此外企业还拥有行政许可188个。
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来源：市场资讯
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