三安集成电路申请半导体芯片及其制备方法专利，有效改善了基于化合物半导体外延层的器件的散热能力_芯片

三安集成电路申请半导体芯片及其制备方法专利，有效改善了基于化合物半导体外延层的器件的散热能力

创始人

2026-06-26 17:25:04

0次

国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122294932A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体芯片及其制备方法，涉及半导体的技术领域。该芯片包括化合物半导体外延层和导热衬底，导热衬底通过硅键合层与化合物半导体外延层的第一表面键合，第一表面为外延层在生长方向上在先生长的底层表面。其制备方法包括：在生长衬底上生长化合物半导体外延层，去除生长衬底暴露第一表面，在第一表面沉积第一硅层，将第一硅层和具有硅质表面的导热衬底经表面活化处理后，在常温、真空下加压键合，形成硅键合层。本发明利用常温硅键合技术实现了高导热衬底与高质量外延层的可靠集成，有效改善了基于化合物半导体外延层的器件的散热能力，提升器件性能。

天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目88次，专利信息365条，此外企业还拥有行政许可107个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资器件化合物半导体散热外延表面集成电路专利硅层硅键衬底

上一篇：半导体硅片概念午后涨势扩大，多家硅片大厂释放调价信号，科创半导体ETF华夏(588170)上涨3.26%，成分股有研硅20CM涨停

下一篇：分享教程“新超圣房卡哪里购买”获取房卡流程

三安集成电路申请半导体芯片及其制备方法专利，有效改善了基于化合物半导体外延层的器件的散热能力

相关内容

热门资讯