京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，提高发光二极管的发光效率_芯片

京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，提高发光二极管的发光效率

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2026-06-24 21:00:21

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号CN122269900A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括：第一外延结构、第二外延结构、第一绝缘反射层、连接电极和第二绝缘反射层；第一外延结构和第二外延结构均包括台阶结构，台阶结构包括台阶顶面和台阶底面；第一外延结构和第二外延结构间隔布置；第一绝缘反射层位于第一外延结构和第二外延结构之间的隔离槽中，且第一绝缘反射层的表面的一侧与第一外延结构的台阶底面相连，第一绝缘反射层的表面的另一侧与第二外延结构的台阶顶面相连；连接电极位于第一绝缘反射层上，且分别与第一外延结构的台阶底面以及第二外延结构的台阶顶面电连接；第二绝缘反射层覆盖连接电极、第一绝缘反射层、第一外延结构和第二外延结构。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目45次，专利信息1079条，此外企业还拥有行政许可44个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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