微电子
德汇半导体取得覆铜陶瓷基板剥离测试方法专利
国家知识产权局信息显示，绍兴德汇半导体材料有限公司、浙江德汇电子陶瓷有限公司取得一项名为“一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法”的专利，授权公告号CN116223363...
富瀚微：公司AI眼镜芯片致力于为客户增强这些功能
证券之星消息，富瀚微(300613)02月24日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问：智能眼镜现在90%以上的产品形态都是用于ai录像拍照，这个...
2月24日100ESG领先（970030）指数涨0.92%，成份股深南电路（002916）领涨
证券之星消息，2月24日，100ESG领先（970030）指数报收于6392.35点，涨0.92%，成交1067.29亿元，换手率1.05%。当日该指数成份股中...
【芯片4】什么是电源管理芯片？是怎么分类的？
电源管理芯片PMIC是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片.主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功...
电科院跌2.07%，成交额2326.63万元，主力资金净流出227.12万元
来源：新浪证券-红岸工作室 1月30日，电科院盘中下跌2.07%，截至09:35，报8.06元/股，成交2326.63万元，换手率0.57%，总市值60.38亿...
亚世光电：股东拟减持不超160万股公司股份
人民财讯2月24日电，亚世光电(002952)2月24日公告，持股11.7604%的股东兼董事林雪峰，计划以集中竞价、大宗交易方式减持本公司股份合计不超过160...
北辰光电取得基于稳压芯片的降压电路专利
国家知识产权局信息显示，深圳市北辰光电科技有限公司取得一项名为“一种基于稳压芯片的降压电路”的专利，授权公告号CN115276405B，申请日期为2022年8月...
交控科技申请道岔多传感器数据特征提取方法及装置专利，能够大幅提升设备的智能化维护水平
国家知识产权局信息显示，交控科技股份有限公司申请一项名为“道岔多传感器数据特征提取方法及装置”的专利，公开号CN121561377A，申请日期为2025年11月...
北京荟迎科技取得传感器安装支撑装置专利，实现传感器安装的便捷拆卸与定位
国家知识产权局信息显示，北京荟迎科技有限公司取得一项名为“一种传感器安装的支撑装置”的专利，授权公告号CN223939108U，申请日期为2025年5月。 专利...
展鑫电气取得继电器粘连检测系统及方法专利
国家知识产权局信息显示，南京展鑫电气设备有限公司取得一项名为“一种继电器粘连检测系统及检测方法”的专利，授权公告号CN120161330B，申请日期为2025年...
南京泊纳莱电子科技取得电子器件检测方法专利
国家知识产权局信息显示，南京泊纳莱电子科技有限公司取得一项名为“一种电子器件检测方法、装置及电子设备”的专利，授权公告号CN114414973B，申请日期为20...
38岁中国商人在土耳其遭绑架杀害：被同行女子引诱掳上车，10名嫌疑人已落网
▲新京报我们视频出品（ID：wevideo） 2月23日，38岁中国商人王某在土耳其遭绑架杀害弃尸一案，警方称10名嫌疑人已落网。 嫌疑人从伊斯坦布尔机场开始跟...
华耀光电取得光伏功率预测技术专利
国家知识产权局信息显示，常州华耀光电科技有限公司取得一项名为“一种光伏功率预测的方法、装置及设备”的专利，授权公告号CN120974456B，申请日期为2025...
小米旗下瀚星创投等入股钥熠电子
来源：中国能源网 天眼查App显示，近日，上海钥熠电子科技有限公司发生工商变更，新增小米旗下瀚星创业投资有限公司、天津海河顺科股权投资合伙企业（有限合伙）等为股...
铠侠现已出样UFS 5.0嵌入式闪存，双通道模式读写超10GB/s
IT之家 2 月 24 日消息，Kioxia 铠侠今日宣布已启动下一代嵌入式闪存规范 UFS 5.0 功能评估与互操作性测试样品的出货。 IT之家了解到，铠侠...
曝OPPO Find X10 Pro Max正测试全新传感器 支持UFCC
【CNMO科技消息】2月24日，数码博主@数码闲聊站 爆料称，有一款全新的2亿像素传感器正在进行测试。结合评论区与博主表情暗示来看，这颗传感器或将搭载在OPPO...
南都电源：2月13日融资买入2453.62万元，融资融券余额9.2亿元
证券之星消息，2月13日，南都电源（300068）融资买入2453.62万元，融资偿还5929.81万元，融资净卖出3476.19万元，融资余额9.19亿元。 ...
平祥感应炉申请真空熔炼炉电源柜专利，电源工作稳定
国家知识产权局信息显示，淮北市平祥感应炉有限公司申请一项名为“一种真空熔炼炉电源柜”的专利，公开号CN121568341A，申请日期为2026年1月。 专利摘要...
维安半导体申请场截止层制备方法专利，解决晶圆厂背面注入机台受限问题
国家知识产权局信息显示，上海维安半导体有限公司申请一项名为“一种场截止层制备方法及半导体制备方法”的专利，公开号CN121568425A，申请日期为2025年1...