维安半导体申请场截止层制备方法专利，解决晶圆厂背面注入机台受限问题_微电子

维安半导体申请场截止层制备方法专利，解决晶圆厂背面注入机台受限问题

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2026-02-24 14:16:46

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国家知识产权局信息显示，上海维安半导体有限公司申请一项名为“一种场截止层制备方法及半导体制备方法”的专利，公开号CN121568425A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种场截止层制备方法及半导体制备方法，属于功率半导体器件技术领域，包括：提供外延层；对外延层的正面进行涂胶，将带正面保护胶的外延层翻面，并对外延层的背面进行减薄；采用正面注入机台对外延层的背面进行离子注入，形成场截止层；再次翻面，并去除正面保护胶。有益效果：场截止层利用正面注入机台形成，解决晶圆厂背面注入P或H机台受限问题，且可满足不同导通压降的要求；在前段工艺利用注P或者H形成场截止层，避免造成产线污染而导致严重损失，同时由于后续工艺存在较多热过程，注入机台所需的注入能量更小，可供选择的机台更多，更有利于实现场截止层的制程；无需额外购置后段工艺的背面注入机台，降低采购成本。

天眼查资料显示，上海维安半导体有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海维安半导体有限公司参与招投标项目7次，专利信息280条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示注入上海晶圆厂机台外延导体工艺专利半导体保护胶外延层

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