维安半导体申请场截止层制备方法专利，解决晶圆厂背面注入机台受限问题
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2026-02-24 14:16:46
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国家知识产权局信息显示，上海维安半导体有限公司申请一项名为“一种场截止层制备方法及半导体制备方法”的专利，公开号CN121568425A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种场截止层制备方法及半导体制备方法，属于功率半导体器件技术领域，包括：提供外延层；对外延层的正面进行涂胶，将带正面保护胶的外延层翻面，并对外延层的背面进行减薄；采用正面注入机台对外延层的背面进行离子注入，形成场截止层；再次翻面，并去除正面保护胶。有益效果：场截止层利用正面注入机台形成，解决晶圆厂背面注入P或H机台受限问题，且可满足不同导通压降的要求；在前段工艺利用注P或者H形成场截止层，避免造成产线污染而导致严重损失，同时由于后续工艺存在较多热过程，注入机台所需的注入能量更小，可供选择的机台更多，更有利于实现场截止层的制程；无需额外购置后段工艺的背面注入机台，降低采购成本。
天眼查资料显示，上海维安半导体有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海维安半导体有限公司参与招投标项目7次，专利信息280条，此外企业还拥有行政许可11个。
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来源：市场资讯
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