11月18日，港A半导体板块同步走强。早盘板块一度领涨市场，虽然后续受市场整体情绪影响，上攻动能有所放缓，但仍然实现逆势上扬。

截至发稿，A股市场中，半导体板块活跃。龙迅股份20CM涨停，大为股份涨停，龙头股中芯国际、寒武纪、海光信息、北方华创、华虹公司、中微公司等纷纷跟涨。

港股方面，半导体、芯片股涨幅居前。华虹半导体涨超2%、中芯国际涨超1%。

存储芯片价格涨势汹汹

自存储芯片“超级周期”启动以来，相关产品价格持续攀升。TrendForce集邦咨询数据显示，2025年第三季度，DRAM价格较去年同期大幅上涨171.8%。

本月初，三星电子率先暂停10月DDR5 DRAM合约报价，SK海力士与美光随后跟进，共同推升市场涨势。

上周五，路透社援引知情人士透露，三星本月大幅上调部分存储芯片价格，较9月涨幅最高达60%。

具体来看，半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman透露，三星32GB DDR5内存芯片合约价已从9月的149美元跃升至11月的239美元，涨幅达60.4%；16GB与128GB DDR5芯片价格也分别上涨约50%，64GB及96GB产品涨幅均超30%。

这一轮价格急涨，凸显出DDR5等高阶存储芯片的供需失衡态势。

业内分析指出，AI服务器对高性能存储的需求爆发是此轮涨价的核心驱动力。由于AI服务器对HBM、DDR5等高性能存储需求激增，也挤压传统DRAM产能，导致DDR4等产品供应紧张，价格持续走高。

有分析人士认为，AI服务器需求正挤占原厂产能，DDR4等产品面临结构性紧缺，缺货潮或持续至2027年。

据CFM闪存市场数据显示，2025年三季度全球存储市场持续高增，规模连续两个季度攀升至584.59亿美元，创下季度历史峰值。其中，DRAM市场规模环比增长24.7%，达到400.37亿美元；NAND市场规模环比增长16.8%，增至184.22亿美元。

该机构还指出，随着供应商库存水位的进一步下降，DRAM和NAND市场价格已经全面上涨，预计四季度存储市场规模将续创季度新高。

中芯国际：产线供不应求

在需求爆发推动产品价格飙涨的背景下，全球半导体供应链正全线处于高负荷运转状态，供给端积极扩产以应对强劲的市场需求。

作为国内晶圆代工龙头，中芯国际在近期投资者交流中透露，公司的产线实际上非常满，三季度产能利用率已达95.8%，这说明订单很多，产线是供不应求的状态。在急单方面，中芯国际承接了大量模拟、存储包括NOR/NANDFlash、MCU等急单。结合当前行业供给存在明显缺口的现状，预计高价位态势将持续。

国际芯片巨头也同步加大扩产力度。SK海力士计划在韩国龙仁市建设四座大型晶圆厂，其中首座晶圆厂已于今年2月全面动工，预计2027年5月竣工。

三星集团16日宣布扩大半导体投资，其在韩国平泽第2工厂新建的第5条线计划于2028年全面投产。同时还计划通过11月初收购的PlactGroup在韩国建设一条生产线，重点布局AI数据中心市场。

展望后市，机构普遍看好存储行业长期成长前景。招商证券分析认为，本轮存储行业周期主要系AI时代下存储需求爆发推动，同时供给侧产能开出有限，25Q3以来价格涨幅持续扩大，展望26H1甚至2026年存储行业供需缺口或将进一步扩大，价格涨势有望延续。

银河证券研报称，上周半导体板块整体表现疲软，但支撑半导体板块长期发展的逻辑并未改变。在外部环境背景下，供应链安全与自主可控是长期趋势。设备与材料在国产替代顶层设计下逻辑最硬，数字芯片是算力自主的核心载体，先进封测受益于技术升级。