中微半导体申请半导体结构的形成方法及半导体系统专利，互连电阻有效减少
创始人
2026-06-27 14:19:43
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国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及半导体系统”的专利，公开号CN122294920A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的形成方法及半导体系统。所述方法包含：提供一基片，所述基片包含金属层，在所述金属层上方设有一介质层，所述基片设有若干开口以暴露所述金属层，所述开口由所述介质层组成的侧壁及由所述金属层组成的底部界定；以亲金属前驱体为原料，在所述开口的底部选择性沉积一牺牲层；采用第一腔室，在所述开口的侧壁表面选择性沉积一阻挡层；采用第二腔室，在所述阻挡层表面沉积一金属衬垫层；采用所述第二腔室，去除所述牺牲层。本发明的形成和去除牺牲层步骤，均可以集成现有的工艺设备，耗费的工艺气体较少，低碳、绿色、环保，形成的金属互连结构，互连电阻有效减少，半导体器件的良率和寿命等性能均有明显改善。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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