国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及半导体系统”的专利,公开号CN122294920A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体结构的形成方法及半导体系统。所述方法包含:提供一基片,所述基片包含金属层,在所述金属层上方设有一介质层,所述基片设有若干开口以暴露所述金属层,所述开口由所述介质层组成的侧壁及由所述金属层组成的底部界定;以亲金属前驱体为原料,在所述开口的底部选择性沉积一牺牲层;采用第一腔室,在所述开口的侧壁表面选择性沉积一阻挡层;采用第二腔室,在所述阻挡层表面沉积一金属衬垫层;采用所述第二腔室,去除所述牺牲层。本发明的形成和去除牺牲层步骤,均可以集成现有的工艺设备,耗费的工艺气体较少,低碳、绿色、环保,形成的金属互连结构,互连电阻有效减少,半导体器件的良率和寿命等性能均有明显改善。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯