伊诺菲申请存储器件及其制作方法专利，有效降低器件的工作电压
创始人
2026-06-27 14:39:20
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国家知识产权局信息显示，伊诺菲（苏州）科技有限公司申请一项名为“一种存储器件及其制作方法”的专利，公开号CN122294505A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种存储器件及其制作方法，属于半导体制造技术领域。通过采用包含III族氮化物与共掺杂金属的复合功能层，并在室温下采用磁控溅射直接成膜，功能层内部可在生长过程中形成适宜的微观结构与缺陷分布，使器件在无需额外电成型处理的前提下即可实现稳定的阻态转换，有效降低了器件的工作电压，同时显著提升器件在小尺寸条件下的工作可靠性与状态一致性。室温磁控溅射的制备方式使得整个器件的制备过程无需高温沉积或高温退火处理，能够严格控制工艺温度以满足CMOS后道工艺的热预算要求，进而实现与逻辑电路的三维单片集成，在简化制备流程、降低工艺复杂度的同时，有效降低制造成本并提升集成密度。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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