华虹宏力申请具有深沟槽超级结的MOS器件及其制造方法专利，防范源区前置的污染风险_微电子

华虹宏力申请具有深沟槽超级结的MOS器件及其制造方法专利，防范源区前置的污染风险

创始人

2026-05-27 02:03:16

0次

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“具有深沟槽超级结的MOS器件及其制造方法”的专利，公开号CN122094150A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种具有深沟槽超级结的MOS器件及其制造方法，衬底上形成有源区；接着形成深沟槽，深沟槽依次贯穿第二硬掩模层、第一硬掩模层和阱区，并延伸至第一外延层内，深沟槽的侧壁和底壁形成有界面损伤；修复深沟槽的侧壁和底壁的界面损伤，且位于阱区的深沟槽宽度大于位于第一硬掩模层的深沟槽宽度；在该步骤中，第一硬掩模层上有第二硬掩模层保护，避免了第一硬掩模层产生翘曲，接着对第一硬掩模层执行回刻工艺；然后执行外延工艺，在深沟槽内填充第二外延层，第一外延层和第二外延层构成深沟槽超级结。如此，通过将修复深沟槽的侧壁和底壁的界面损伤的步骤前置避免了第一硬掩模层翘曲，从而防范源区前置的污染风险。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目920次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可448个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造投资沟槽防范器件掩模前置专利污染侧壁有源区深沟槽底壁模层

上一篇：杭州意能电力申请基于零序电流注入的配电线路不停电融冰装置专利，能够有效减少对电网的干扰

下一篇：玩家必看科普！WepoKe外挂透明挂辅助脚本，wepoker轻量版有辅助挂脚本，详细教程（总结有挂）-哔哩哔哩

华虹宏力申请具有深沟槽超级结的MOS器件及其制造方法专利，防范源区前置的污染风险

相关内容

热门资讯