上海创贤半导体申请芯片封装多区域温度精确控制方法专利，显著改善热场均匀性_电子电器

上海创贤半导体申请芯片封装多区域温度精确控制方法专利，显著改善热场均匀性

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2026-04-04 19:29:40

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国家知识产权局信息显示，上海创贤半导体有限公司申请一项名为“一种芯片封装多区域温度精确控制方法”的专利，公开号CN121785412A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种芯片封装多区域温度精确控制方法，具体涉及半导体封装与制造技术领域，应用于die‑bond工艺，包括将承载芯片的加热平台划分为多个在结构上相互隔离、控制上相互独立的加热区域，并设定目标温度启动各所述加热区域的交流基础温度控制器，对各区域进行快速升温。本发明通过交流与直流双层协同控制，突破了响应速度与稳态精度难以兼顾的瓶颈，结合多区域独立调控及红外与接触式测温的多源数据融合，实现对芯片二维温度场的精确感知与闭环控制，有效抑制了温度过冲与波动，显著改善了热场均匀性，降低了热应力和焊接空洞率，从而大幅提高了封装质量、一致性与可靠性，适用于高功率器件、先进封装等多种复杂场景。

天眼查资料显示，上海创贤半导体有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1037.5万人民币。通过天眼查大数据分析，上海创贤半导体有限公司共对外投资了1家企业，专利信息23条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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