飞锃半导体申请碳化硅器件及其形成方法专利，提升器件性能与可靠性
创始人
2026-04-04 19:33:20
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国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种碳化硅器件及其形成方法”的专利，公开号CN121793384A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底表面形成有碳化硅外延层；若干阱区，位于所述碳化硅外延层中，所述阱区的顶面与所述碳化硅外延层的顶面平齐；掺杂区，位于相邻的阱区之间，所述掺杂区的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相同；栅极结构，位于所述碳化硅外延层表面，所述栅极结构至少部分覆盖所述阱区。
天眼查资料显示，飞锃半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，专利信息112条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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