新微半导体申请半导体结构制备方法专利，解决现有高阻元件制备工艺复杂、成本高且集成度低的问题_电子电器

新微半导体申请半导体结构制备方法专利，解决现有高阻元件制备工艺复杂、成本高且集成度低的问题

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2026-04-02 19:42:31

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国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121772251A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成外延结构，并在外延结构上形成依次堆叠的刻蚀停止层及高阻层；图形化刻蚀停止层及高阻层，以定义出器件区和电阻区，器件区的刻蚀停止层及高阻层得以去除，而电阻区的刻蚀停止层及高阻层得以保留；在器件区及电阻区的表面形成金属电极，并进行退火；对器件区与电阻区的交界处进行离子注入形成电性隔离区；刻蚀位于器件区的外延结构形成栅极凹槽，并在栅极凹槽内形成栅极结构。本发明提供半导体结构的制备方法通过在外延结构上形成高阻层，并通过图形化和离子注入实现器件区与电阻区的区分和隔离，解决现有高阻元件制备工艺复杂、成本高且集成度低的问题。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目846次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可98个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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