三星半导体申请半导体封装件及其制造方法专利,粘合层的被暴露的部分形成标记图案
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2026-03-25 04:42:52
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国家知识产权局信息显示,三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件及其制造方法”的专利,公开号CN121729079A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括:基底;半导体芯片,位于基底上;模塑层,覆盖半导体芯片;粘合层,在模塑层的上表面上;标记框架,在粘合层上,其中,标记框架暴露粘合层的一部分,粘合层的被暴露的部分形成标记图案;以及间隔件,在粘合层的下表面上并且在水平方向上与半导体芯片间隔开,其中,间隔件与基底间隔开。

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来源:市场资讯

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