国家知识产权局信息显示,厦门未来显示技术研究院有限公司取得一项名为“一种发光外延结构、发光二极管芯片和显示装置”的专利,授权公告号CN224419205U,申请日期为2025年6月。
专利摘要显示,本申请提供了一种发光外延结构、发光二极管芯片和显示装置,涉及半导体发光器件技术领域。发光外延结构包括依次叠加设置的衬底、N型限制层、有源层、P型限制层和P型GaP窗口层;P型GaP窗口层中插入有一层AlGaP改善层;或者,P型GaP窗口层中插入有至少两层AlGaP改善层,且在衬底指向P型GaP窗口层的方向上,至少两层AlGaP改善层间隔设置。在P型GaP窗口层中插入至少一层AlGaP改善层进行优化,能够减少P型GaP窗口层因晶格失配引起的应力,降低P型GaP窗口层中的位错密度,提高了P型GaP窗口层的晶体质量,提高了发光外延结构的生长质量,提高了发光二极管芯片的性能。
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