帝尔激光申请背接触太阳能电池制备方法专利，提高PN隔离区的隔离电阻_电子电器

帝尔激光申请背接触太阳能电池制备方法专利，提高PN隔离区的隔离电阻

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2026-06-26 20:18:17

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国家知识产权局信息显示，武汉帝尔激光科技股份有限公司申请一项名为“一种背接触太阳能电池制备方法及背接触太阳能电池”的专利，公开号CN122294620A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提出一种背接触太阳能电池制备方法及背接触太阳能电池，制备方法包括：S100、采用第一激光照射半成品背接触太阳能电池背面第二传输层的部分区域，第二传输层上激光照射区域且远离半导体衬底的部分形成第一氧化层；其中，第一激光照射区域对应目标隔断区域，且第一激光照射区域在第一方向的尺寸大于等于目标隔断区域在第一方向的尺寸；S200、制备透明导电层，覆盖第一极性区与第二极性区；S300、采用第二激光对透明导电层进行隔断处理，形成目标隔断区域，位于第一投影与第二投影的重叠区域内。通过第一氧化层可以吸收用于隔断透明导电层的第二激光，避免损伤第二传输层，由此使得PN隔离区的隔离电阻提高。

天眼查资料显示，武汉帝尔激光科技股份有限公司，成立于2008年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本27356.225万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉帝尔激光科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息553条，此外企业还拥有行政许可49个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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